在評論陶瓷加熱器系統的好壞時，主要還是要看在整個加熱操作時，是否以輻射加熱為主要方式，以傳導對流加熱為輔，輻射加熱占有比例越大，說明系統的性能越好。
    經過陶瓷加熱器對大量烘道、烘箱熱能轉換效率的測定、理論上的研究。在80年代中期提出了辨別輻射烘道的2個方法：
    ①測定烘道內空間溫度、元件表面溫度，只有T空間<T元件20℃至40℃時，烘道才被稱為輻射烘道，當元件符合遠紅外節(jié)電條件時，稱為遠紅外烘道。
    ②改流水作業(yè)為靜態(tài)烘烤，若未出現漆膜不均勻現象時，才能被稱為輻射烘道，否則不能稱為遠紅外加熱。
    在歷經多年的研究、實踐探討過程后，研究人員總結出遠紅外烘道，烘箱的以下3條設計原則：
    ①均勻輻射場設計：在保證陶瓷加熱器工件不管在什么位置上，表面所接受的輻射能為均勻狀態(tài)。均勻輻射場設計是利用輻射光學原理，計算出一組數據，即：元件排列方式、元件間隔、反射罩形式、元件與工件距離。從而擺脫元件間隔100mm至350mm，元件與工件距離50mm至400mm的定性設計。
    ②均勻勻溫度場設計：為避免烘道內均勻溫度場被破壞，應讓烘道內的所有溫度差都保持在±5～10℃范圍內。
    ③均勻控溫技術設計：采用通斷式控溫而導致陶瓷加熱器局部溫度波動大。晶閘管調壓可降低元件的輻射，增加對流作用。因此應采用調功器控溫，進而讓遠紅外技術達到理想狀態(tài)。
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